什麼是EEPROM的？
EEPROM的主張電可擦除可編程只讀存儲器。 一種EEPROM是像存儲器芯片，因為它可以書面或編程不止一次。 不同的存儲器芯片，但是， EEPROM芯片不必取出電腦或電子設備，它是當一個新的程序或數據需要書面上。
選擇性編程可以做到的電可擦除只讀存儲器芯片。 用戶可以改變的價值，某些細胞，而無需擦除編程其他細胞。 因此，部分數據可擦寫和替換，而無需改變芯片其餘部分的節目。
數據存儲在電可擦除只讀存儲器芯片是永久性的，至少直到用戶決定刪除並替換所包含的信息。 此外，數據存儲在電可擦除只讀存儲器芯片是不會丟失，即使設備斷電。
歷史上的電可擦除只讀存儲器
的電可擦除只讀存儲器是一個修改EPROM和設計由George Perlegos 。 它的發展始於1978年，而Perlegos仍受僱於英特爾。 然而典型的電可擦除只讀存儲器仍有待取出電腦或電子設備，它是任何編程是必要的。
當Perlegos離開英特爾形成Seeq技術，他設計的第一個全功能的電可擦除只讀存儲器。 消除外部編程的必要性， Perlegos和公司的絕緣層更薄，集成了振盪器和電容電路進入內存芯片本身。 這種電荷泵可以產生必要的編程電壓。 因為它是完全集成在每個EEPROM芯片，因此沒有必要採取了EEPROM芯片的擦除和編程。 要配置的EEPROM芯片，電場產生的電荷泵適用於本地細胞標記進行修改。
電可擦除只讀存儲器結構
的電可擦除只讀存儲器芯片是身體類似存儲器芯片。 這也是組成細胞的兩個晶體管。 該浮柵脫離控制的薄柵氧化層。 不同的存儲器芯片，但是，電可擦除只讀存儲器芯片的氧化層是非常薄。 在電可擦除只讀存儲器芯片，絕緣層，則只有1納米厚，而在存儲器芯片，氧化層約為3納米厚。 薄氧化層是指低電壓啟動需求的變化細胞價值。
隧穿電子的浮動柵氧化層對分離的浮柵和控制閘門仍然是不斷變化的方法有點的價值從1到0 。 抹去的EEPROM編程，電子障礙仍有待克服的應用足夠的編程電壓。
EEPROM的局限性
雖然可重新編程的EEPROM ，多少次，它可以改變是有限的。 這是最主要的原因很受歡迎的EEPROM芯片只存儲配置數據，如計算機的BIOS代碼不需要經常編程。 氧化物絕緣層損壞的可頻繁重寫。 現代的EEPROM可重寫高達100萬次。
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