什麼是MRAM的磁記憶？

的MRAM （磁阻隨機存取存儲器）是被視為一個可行的替代目前的DRAM技術。其主要區別是對後者的使用磁場以節省內存位使記憶“永久性的。 ” 因此， MRAM技術可以更快地存取和數據安全。

目前的內存技術

目前的內存技術採用電荷存儲記憶位。 Microminiaturized電容器和晶體管集成電路是'堆疊'創建高密度，大的內存，但身體的小芯片。一個典型的內存芯片存儲的1Gb ，並允許更多的程序和數據的存儲直接使用的CPU的。

的主要問題目前的內存技術是電容器的電荷洩漏。這樣的結果是損失的信息。因此，電容器的電荷必須不斷更新，以保持積極的信息，並容易獲得。這意味著需要不斷電源-不是一個問題與計算機連接到電源插座（除非權力無意中切斷），但有問題的筆記本電腦或便攜式電腦使用的電池;不斷刷新的內存水渠的電池。

這也導致了另一個問題-關掉電力（故意或意外關閉計算機）意味著所有信息存儲在RAM中消失。需要一段時間重新啟動的所有程序，系統和數據增值和這樣的結果是'空閒時間'的用戶。

MRAM採用磁性材料內容存儲信息;通常的形式是兩個磁板-分離薄絕緣層-這形成一個單細胞。一個板塊有一個具體的磁極，而其他不同與外部領域。 MRAM的是一個單位組成的一個網格的這種細胞。

的主要優點是的MRAM芯片是沒有需要不斷更新的信息，通過定期的應用電荷;甚至關閉計算機沒有抹掉信息。因此，啟動例程更快，只需打開電腦，並在上屆會議是立即可用。與此同時，有風險降低數據丟失的意外停電。

有兩個不利的MRAM產品，但是，這無法加入主流。變化磁場中的數據，需要投入更大的力量比常規RAM芯片;的效果，需要不斷電源取而代之的是一個更大的權力的要求。此外，磁場的性質意味著身體較大的存儲'細胞' -一個商店的MRAM芯片較少的內存比RAM芯片的尺寸相同。

正在進行的研究旨在解決這些問題，都使用了各種辦法。雖然有些公司的報告準備大規模生產的MRAM芯片，還有待觀察是否會成功地解決了電源輸入和規模問題。如果這些是解決和價格的MRAM芯片符合目前的RAM芯片，我們將看到一場革命，計算機啟動和運行。

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